Công nghệ Infineon đã phát triển công nghệ wafer gali nitride (GaN) 300 mm đầu tiên trên thế giới, đánh dấu một cột mốc quan trọng trong ngành công nghiệp bán dẫn điện. Bằng cách tận dụng cơ sở hạ tầng sản xuất silicon 300 mm hiện có, Infineon đã tạo ra một quy trình sản xuất có thể mở rộng quy mô, khối lượng lớn giúp tăng hiệu quả về chi phí.
Các wafer GaN 300 mm cung cấp nhiều chip hơn 2,3 lần trên mỗi wafer so với wafer 200 mm, cải thiện hiệu quả sản xuất và hiệu suất thiết bị. Sự đổi mới này đưa Infineon trở thành công ty dẫn đầu trong thị trường GaN đang phát triển nhanh chóng, dự kiến sẽ đạt tới vài tỷ đô la vào cuối thập kỷ này.
Chất bán dẫn điện dựa trên GaN đang thu hút sự chú ý trong nhiều lĩnh vực khác nhau, bao gồm công nghiệp, ô tô, điện tử tiêu dùng, nguồn điện AI, bộ biến tần năng lượng mặt trời và hệ thống điều khiển động cơ. Công nghệ GaN mang lại những lợi thế đáng kể, chẳng hạn như tăng hiệu suất năng lượng, giảm kích thước và trọng lượng, và giảm tổng chi phí cho người dùng cuối. Các tấm wafer GaN 300 mm mới đảm bảo tính ổn định và khả năng mở rộng nguồn cung lớn hơn, khiến chúng trở nên lý tưởng cho nhu cầu ngày càng tăng của thị trường.
Việc Infineon tích hợp các wafer GaN 300 mm vào các dây chuyền sản xuất silicon hiện có tại Villach, Áo, chứng minh chuyên môn của công ty trong cả chất bán dẫn GaN và silicon. Bước đột phá này cũng mở đường cho sự cân bằng về chi phí giữa GaN và silicon, đặc biệt là về mức R DS(on) tương đương. Infineon đặt mục tiêu giới thiệu các wafer GaN 300 mm đầu tiên tại hội chợ thương mại điện tử vào tháng 11 năm 2024 tại Munich.
Sự tiến bộ này củng cố vị thế dẫn đầu của Infineon trong hệ thống điện và cam kết đổi mới, đặc biệt là trong lĩnh vực khử cacbon và số hóa. Trọng tâm chiến lược của công ty vào GaN, cùng với silicon và silicon carbide, làm nổi bật vị thế tiên phong của công ty trong công nghệ bán dẫn.
Đã nộp trong
. Đọc thêm về Infineon và Semiconductors.